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VBsemi Elec SPP11N80C3-VB
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SPP11N80C3-VB |
| Código da Peça EBEE | E822357303 |
| Pacote | TO-220AB |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 12A 370mΩ@10V 4.5V 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2416 | $ 2.2416 |
| 10+ | $1.8975 | $ 18.9750 |
| 50+ | $1.6816 | $ 84.0800 |
| 100+ | $1.4602 | $ 146.0200 |
| 500+ | $1.3603 | $ 680.1500 |
| 1000+ | $1.3172 | $ 1317.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec SPP11N80C3-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 370mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 89nC@10V |
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