| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | P0803BDG-VB |
| Código da Peça EBEE | E822389796 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3843 | $ 0.3843 |
| 10+ | $0.3017 | $ 3.0170 |
| 30+ | $0.2668 | $ 8.0040 |
| 100+ | $0.2223 | $ 22.2300 |
| 500+ | $0.2033 | $ 101.6500 |
| 1000+ | $0.1906 | $ 190.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec P0803BDG-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 6mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 270pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.13W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.201nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 525pF | |
| Gate Charge(Qg) | 107nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3843 | $ 0.3843 |
| 10+ | $0.3017 | $ 3.0170 |
| 30+ | $0.2668 | $ 8.0040 |
| 100+ | $0.2223 | $ 22.2300 |
| 500+ | $0.2033 | $ 101.6500 |
| 1000+ | $0.1906 | $ 190.6000 |
