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VBsemi Elec NDB6030PL-VB
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NDB6030PL-VB |
| Código da Peça EBEE | E87569113 |
| Pacote | TO-263(D2PAK) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 30V 1 Piece P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6613 | $ 0.6613 |
| 10+ | $0.5331 | $ 5.3310 |
| 50+ | $0.4684 | $ 23.4200 |
| 100+ | $0.4049 | $ 40.4900 |
| 500+ | $0.3658 | $ 182.9000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec NDB6030PL-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 8mΩ@10V;11mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 115nC@10V;[email protected] |
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