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VBsemi Elec NCE2012-VB
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NCE2012-VB |
| Código da Peça EBEE | E841370180 |
| Pacote | SO-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 20V 20A 2.5W 0.0049Ω@4.5V,10A 2.1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6618 | $ 0.6618 |
| 200+ | $0.2651 | $ 53.0200 |
| 500+ | $0.2560 | $ 128.0000 |
| 1000+ | $0.2505 | $ 250.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec NCE2012-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 20V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 20A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 0.0049Ω@4.5V,10A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 2.5W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 2.1V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 315pF@10V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 3.7nF@10V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 27.5nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6618 | $ 0.6618 |
| 200+ | $0.2651 | $ 53.0200 |
| 500+ | $0.2560 | $ 128.0000 |
| 1000+ | $0.2505 | $ 250.5000 |
