| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | K8A55DA-VB |
| Código da Peça EBEE | E829778866 |
| Pacote | TO-220F |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 5.6A 1.1Ω@10V,4A 83W 2.5V@250uA TO-220F MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8987 | $ 0.8987 |
| 10+ | $0.7240 | $ 7.2400 |
| 50+ | $0.6351 | $ 31.7550 |
| 100+ | $0.5494 | $ 54.9400 |
| 500+ | $0.4970 | $ 248.5000 |
| 1000+ | $0.4700 | $ 470.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec K8A55DA-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 1.1Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 860pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8987 | $ 0.8987 |
| 10+ | $0.7240 | $ 7.2400 |
| 50+ | $0.6351 | $ 31.7550 |
| 100+ | $0.5494 | $ 54.9400 |
| 500+ | $0.4970 | $ 248.5000 |
| 1000+ | $0.4700 | $ 470.0000 |
