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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | E6P02-VB |
| Código da Peça EBEE | E820755653 |
| Pacote | SO-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 20V 8.9A 18mΩ@4.5V 2 P-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4387 | $ 0.4387 |
| 10+ | $0.3482 | $ 3.4820 |
| 30+ | $0.3104 | $ 9.3120 |
| 100+ | $0.2619 | $ 26.1900 |
| 500+ | $0.2403 | $ 120.1500 |
| 1000+ | $0.2268 | $ 226.8000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec E6P02-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 18mΩ@4.5V;22mΩ@2.5V;30mΩ@1.8V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8.9A | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4387 | $ 0.4387 |
| 10+ | $0.3482 | $ 3.4820 |
| 30+ | $0.3104 | $ 9.3120 |
| 100+ | $0.2619 | $ 26.1900 |
| 500+ | $0.2403 | $ 120.1500 |
| 1000+ | $0.2268 | $ 226.8000 |
