15% off
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | D9N05CLG-VB |
| Código da Peça EBEE | E820417721 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 60V 18A 73mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3232 | $ 0.3232 |
| 10+ | $0.2578 | $ 2.5780 |
| 30+ | $0.2283 | $ 6.8490 |
| 100+ | $0.1937 | $ 19.3700 |
| 500+ | $0.1642 | $ 82.1000 |
| 1000+ | $0.1539 | $ 153.9000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec D9N05CLG-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 85mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 660pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 85pF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3232 | $ 0.3232 |
| 10+ | $0.2578 | $ 2.5780 |
| 30+ | $0.2283 | $ 6.8490 |
| 100+ | $0.1937 | $ 19.3700 |
| 500+ | $0.1642 | $ 82.1000 |
| 1000+ | $0.1539 | $ 153.9000 |
