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VBsemi Elec CSD18532KCS-VB
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CSD18532KCS-VB |
| Código da Peça EBEE | E819626754 |
| Pacote | TO-220AB |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60V 210A 3mΩ@10V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3897 | $ 1.3897 |
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| 100+ | $0.8356 | $ 83.5600 |
| 500+ | $0.7714 | $ 385.7000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec CSD18532KCS-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 3mΩ@10V | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 750pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 375W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 210A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 180nC@10V |
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