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VBsemi Elec CEB6601-VB
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CEB6601-VB |
| Código da Peça EBEE | E8879039 |
| Pacote | TO-263(D2PAK) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60V 35A 48mΩ@10V,35A 1 Piece P-Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8098 | $ 0.8098 |
| 10+ | $0.6576 | $ 6.5760 |
| 50+ | $0.5823 | $ 29.1150 |
| 100+ | $0.5069 | $ 50.6900 |
| 500+ | $0.4618 | $ 230.9000 |
| 1000+ | $0.4394 | $ 439.4000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec CEB6601-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 48mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+100℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 120pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.65nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 200pF | |
| Gate Charge(Qg) | 67nC@10V |
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| 10+ | $0.6576 | $ 6.5760 |
| 50+ | $0.5823 | $ 29.1150 |
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