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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | C3028LD-VB |
| Código da Peça EBEE | E8709927 |
| Pacote | SO-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 30V 6.8A 2W 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3388 | $ 0.3388 |
| 10+ | $0.2686 | $ 2.6860 |
| 30+ | $0.2376 | $ 7.1280 |
| 100+ | $0.1998 | $ 19.9800 |
| 500+ | $0.1742 | $ 87.1000 |
| 1000+ | $0.1634 | $ 163.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec C3028LD-VB | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | - | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 33pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 510pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.8nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3388 | $ 0.3388 |
| 10+ | $0.2686 | $ 2.6860 |
| 30+ | $0.2376 | $ 7.1280 |
| 100+ | $0.1998 | $ 19.9800 |
| 500+ | $0.1742 | $ 87.1000 |
| 1000+ | $0.1634 | $ 163.4000 |
