| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | AOD450-VB |
| Código da Peça EBEE | E829778642 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 200V 10A 3W 0.245Ω@10V,3A 4V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6732 | $ 0.6732 |
| 10+ | $0.5415 | $ 5.4150 |
| 30+ | $0.4764 | $ 14.2920 |
| 100+ | $0.4113 | $ 41.1300 |
| 500+ | $0.3732 | $ 186.6000 |
| 1000+ | $0.3525 | $ 352.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec AOD450-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 245mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 80pF | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.8nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 51nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6732 | $ 0.6732 |
| 10+ | $0.5415 | $ 5.4150 |
| 30+ | $0.4764 | $ 14.2920 |
| 100+ | $0.4113 | $ 41.1300 |
| 500+ | $0.3732 | $ 186.6000 |
| 1000+ | $0.3525 | $ 352.5000 |
