| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 2N65G-TM3-T |
| Código da Peça EBEE | E85310407 |
| Pacote | TO-251 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-251 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1878 | $ 0.1878 |
| 10+ | $0.1635 | $ 1.6350 |
| 30+ | $0.1531 | $ 4.5930 |
| 80+ | $0.1401 | $ 11.2080 |
| 480+ | $0.1343 | $ 64.4640 |
| 960+ | $0.1308 | $ 125.5680 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Folha de Dados | UTC(Unisonic Tech) 2N65G-TM3-T | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 5Ω@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 370pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 55nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1878 | $ 0.1878 |
| 10+ | $0.1635 | $ 1.6350 |
| 30+ | $0.1531 | $ 4.5930 |
| 80+ | $0.1401 | $ 11.2080 |
| 480+ | $0.1343 | $ 64.4640 |
| 960+ | $0.1308 | $ 125.5680 |
