| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SI2319A |
| Código da Peça EBEE | E8545576 |
| Pacote | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 40V 4.4A 95mΩ@4.5V,3.5A 1.25W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0466 | $ 0.4660 |
| 100+ | $0.0369 | $ 3.6900 |
| 300+ | $0.0320 | $ 9.6000 |
| 3000+ | $0.0251 | $ 75.3000 |
| 6000+ | $0.0221 | $ 132.6000 |
| 9000+ | $0.0207 | $ 186.3000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) SI2319A | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 70mΩ@10V;95mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 65pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 470pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 85pF | |
| Gate Charge(Qg) | 11.5nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0466 | $ 0.4660 |
| 100+ | $0.0369 | $ 3.6900 |
| 300+ | $0.0320 | $ 9.6000 |
| 3000+ | $0.0251 | $ 75.3000 |
| 6000+ | $0.0221 | $ 132.6000 |
| 9000+ | $0.0207 | $ 186.3000 |
