| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 30N06 |
| Código da Peça EBEE | E8369599 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60V 30A 23mΩ@10V 55W 1V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1125 | $ 0.5625 |
| 50+ | $0.0892 | $ 4.4600 |
| 150+ | $0.0772 | $ 11.5800 |
| 500+ | $0.0674 | $ 33.7000 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
| 5000+ | $0.0593 | $ 296.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 30N06 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 23mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 66.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 55W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.562nF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1125 | $ 0.5625 |
| 50+ | $0.0892 | $ 4.4600 |
| 150+ | $0.0772 | $ 11.5800 |
| 500+ | $0.0674 | $ 33.7000 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
| 5000+ | $0.0593 | $ 296.5000 |
