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U-NIKC P1006BD
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | P1006BD |
| Código da Peça EBEE | E83034551 |
| Pacote | TO-252-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 60V 66A 96W 10mΩ@10V,20A 1.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4155 | $ 0.4155 |
| 10+ | $0.3197 | $ 3.1970 |
| 30+ | $0.2800 | $ 8.4000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | U-NIKC P1006BD | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 60V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 66A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 10mΩ@10V,20A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 96W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 1.3V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 140pF@25V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1.92nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 42nC@10V |
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