| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | TK6A80E,S4X |
| Código da Peça EBEE | E8556305 |
| Pacote | TO-220-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 6A 1.7Ω@3A,10V 45W 4V@600uA 1 N-Channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4535 | $ 0.4535 |
| 10+ | $0.3989 | $ 3.9890 |
| 30+ | $0.3725 | $ 11.1750 |
| 100+ | $0.3444 | $ 34.4400 |
| 500+ | $0.3288 | $ 164.4000 |
| 1000+ | $0.3195 | $ 319.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | TOSHIBA TK6A80E,S4X | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 1.7Ω@10V | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 10pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 110pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4535 | $ 0.4535 |
| 10+ | $0.3989 | $ 3.9890 |
| 30+ | $0.3725 | $ 11.1750 |
| 100+ | $0.3444 | $ 34.4400 |
| 500+ | $0.3288 | $ 164.4000 |
| 1000+ | $0.3195 | $ 319.5000 |
