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Tokmas SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS) |
| Código da Peça EBEE | E819626229 |
| Pacote | DFN-8(5x6) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 40V 25A 13mΩ 34.7W 2 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3268 | $ 1.6340 |
| 50+ | $0.2544 | $ 12.7200 |
| 150+ | $0.2233 | $ 33.4950 |
| 490+ | $0.1885 | $ 92.3650 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Tokmas SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 20mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 175pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 34.7W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.15nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 220pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
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