| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | TDM3426B |
| Código da Peça EBEE | E8189992 |
| Pacote | SOT-89 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 30V 18A 3.5W 10mΩ@10V,10A 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-89 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2157 | $ 1.0785 |
| 50+ | $0.1679 | $ 8.3950 |
| 150+ | $0.1474 | $ 22.1100 |
| 500+ | $0.1218 | $ 60.9000 |
| 3000+ | $0.1104 | $ 331.2000 |
| 6000+ | $0.1035 | $ 621.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | Techcode TDM3426B | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 16mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | - | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 22pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 600pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 318pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2157 | $ 1.0785 |
| 50+ | $0.1679 | $ 8.3950 |
| 150+ | $0.1474 | $ 22.1100 |
| 500+ | $0.1218 | $ 60.9000 |
| 3000+ | $0.1104 | $ 331.2000 |
| 6000+ | $0.1035 | $ 621.0000 |
