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TECH PUBLIC TPM2009EP3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | TPM2009EP3 |
| Código da Peça EBEE | E82844728 |
| Pacote | DFN1006-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 20V 660mA 700mΩ@2.5V,0.8A 100mW 1.1V@250uA 1 Piece P-Channel DFN1006-3L MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0393 | $ 0.7860 |
| 200+ | $0.0316 | $ 6.3200 |
| 600+ | $0.0277 | $ 16.6200 |
| 2000+ | $0.0249 | $ 49.8000 |
| 10000+ | $0.0200 | $ 200.0000 |
| 20000+ | $0.0188 | $ 376.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | TECH PUBLIC TPM2009EP3 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 950mΩ@1.8V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 660mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 170pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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| 20+ | $0.0393 | $ 0.7860 |
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