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TECH PUBLIC TPM2008EP3-A
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | TPM2008EP3-A |
| Código da Peça EBEE | E82827633 |
| Pacote | DFN1006-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 20V 700mA 130mΩ@4.5V,650mA 100mW 750mV@250uA 1 N-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0346 | $ 0.6920 |
| 200+ | $0.0276 | $ 5.5200 |
| 600+ | $0.0238 | $ 14.2800 |
| 2000+ | $0.0215 | $ 43.0000 |
| 10000+ | $0.0174 | $ 174.0000 |
| 20000+ | $0.0163 | $ 326.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | TECH PUBLIC TPM2008EP3-A | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 370mΩ@25V | |
| Temperatura de funcionamento - | - | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 700mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 120pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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