| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IRLR2905 |
| Código da Peça EBEE | E85350899 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 60V 50A 85W 20mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2733 | $ 1.3665 |
| 50+ | $0.2137 | $ 10.6850 |
| 150+ | $0.1881 | $ 28.2150 |
| 500+ | $0.1562 | $ 78.1000 |
| 2500+ | $0.1420 | $ 355.0000 |
| 5000+ | $0.1335 | $ 667.5000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | TECH PUBLIC IRLR2905 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 20mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.05nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@30V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2733 | $ 1.3665 |
| 50+ | $0.2137 | $ 10.6850 |
| 150+ | $0.1881 | $ 28.2150 |
| 500+ | $0.1562 | $ 78.1000 |
| 2500+ | $0.1420 | $ 355.0000 |
| 5000+ | $0.1335 | $ 667.5000 |
