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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | DMG1012T |
| Código da Peça EBEE | E82830301 |
| Pacote | SOT-523 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 20V 800mA 250mΩ@4.5V 280mW 750mV@250uA 1 N-Channel SOT-523-3 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0206 | $ 0.4120 |
| 200+ | $0.0160 | $ 3.2000 |
| 600+ | $0.0134 | $ 8.0400 |
| 3000+ | $0.0119 | $ 35.7000 |
| 9000+ | $0.0105 | $ 94.5000 |
| 21000+ | $0.0098 | $ 205.8000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | TECH PUBLIC DMG1012T | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 300mΩ@2.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 280mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 120pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0206 | $ 0.4120 |
| 200+ | $0.0160 | $ 3.2000 |
| 600+ | $0.0134 | $ 8.0400 |
| 3000+ | $0.0119 | $ 35.7000 |
| 9000+ | $0.0105 | $ 94.5000 |
| 21000+ | $0.0098 | $ 205.8000 |
