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SUPSiC GC4D20120H
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC4D20120H |
| Código da Peça EBEE | E87435089 |
| Pacote | TO-247-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 1.2kV 1.5V 54A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7203 | $ 2.7203 |
| 10+ | $2.3389 | $ 23.3890 |
| 30+ | $1.7835 | $ 53.5050 |
| 90+ | $1.5382 | $ 138.4380 |
| 600+ | $1.4290 | $ 857.4000 |
| 900+ | $1.3800 | $ 1242.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC4D20120H | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 200uA@1200V | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 54A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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| 1+ | $2.7203 | $ 2.7203 |
| 10+ | $2.3389 | $ 23.3890 |
| 30+ | $1.7835 | $ 53.5050 |
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