| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC4D08120A |
| Código da Peça EBEE | E87435075 |
| Pacote | TO-220-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 1.2kV 1.5V 24.5A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4067 | $ 1.4067 |
| 10+ | $1.1650 | $ 11.6500 |
| 50+ | $1.0215 | $ 51.0750 |
| 100+ | $0.8718 | $ 87.1800 |
| 500+ | $0.8048 | $ 402.4000 |
| 1000+ | $0.7751 | $ 775.1000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC4D08120A | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 35uA@1200V | |
| Configuração do diodo | 1 Independent | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 24.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 64A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4067 | $ 1.4067 |
| 10+ | $1.1650 | $ 11.6500 |
| 50+ | $1.0215 | $ 51.0750 |
| 100+ | $0.8718 | $ 87.1800 |
| 500+ | $0.8048 | $ 402.4000 |
| 1000+ | $0.7751 | $ 775.1000 |
