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SUPSiC GC3D10065H
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC3D10065H |
| Código da Peça EBEE | E821547380 |
| Pacote | TO-247-2 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V 1.5V 30A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6592 | $ 1.6592 |
| 10+ | $1.3972 | $ 13.9720 |
| 30+ | $1.2527 | $ 37.5810 |
| 90+ | $1.0892 | $ 98.0280 |
| 450+ | $1.0162 | $ 457.2900 |
| 900+ | $0.9828 | $ 884.5200 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC3D10065H | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 60uA@650V | |
| Configuração do diodo | - | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 90A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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