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STMicroelectronics STW18N60DM2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STW18N60DM2 |
| Código da Peça EBEE | E85268679 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 12A 295mΩ 90W 3V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2622 | $ 4.2622 |
| 210+ | $1.6501 | $ 346.5210 |
| 510+ | $1.5917 | $ 811.7670 |
| 990+ | $1.5625 | $ 1546.8750 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STW18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Configuração | - | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 600V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 12A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 295mΩ | |
| Dissipação de potência (Pd) | 90W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.33pF@100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 800pF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 20nC@480V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2622 | $ 4.2622 |
| 210+ | $1.6501 | $ 346.5210 |
| 510+ | $1.5917 | $ 811.7670 |
| 990+ | $1.5625 | $ 1546.8750 |
