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STMicroelectronics STU7N65M2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STU7N65M2 |
| Código da Peça EBEE | E85268716 |
| Pacote | IPAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 5A 0.98Ω@10V,2.5A 60W 2V@250uA 1 N-channel IPAK MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0806 | $ 2.0806 |
| 10+ | $2.0350 | $ 20.3500 |
| 30+ | $2.0050 | $ 60.1500 |
| 75+ | $1.9735 | $ 148.0125 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STU7N65M2 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 980mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 270pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9nC@520V |
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