| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STS4DPF20L |
| Código da Peça EBEE | E8169096 |
| Pacote | SO-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 20V 4A 2W 0.07Ω@10V,2A 1.6V@250uA 2 P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9263 | $ 0.9263 |
| 10+ | $0.7519 | $ 7.5190 |
| 30+ | $0.6648 | $ 19.9440 |
| 100+ | $0.5776 | $ 57.7600 |
| 500+ | $0.5262 | $ 263.1000 |
| 1000+ | $0.4997 | $ 499.7000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STS4DPF20L | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 100mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 130pF | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 490pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@5V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9263 | $ 0.9263 |
| 10+ | $0.7519 | $ 7.5190 |
| 30+ | $0.6648 | $ 19.9440 |
| 100+ | $0.5776 | $ 57.7600 |
| 500+ | $0.5262 | $ 263.1000 |
| 1000+ | $0.4997 | $ 499.7000 |
