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STMicroelectronics STPSC4H065B-TR
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STPSC4H065B-TR |
| Código da Peça EBEE | E8191032 |
| Pacote | TO-252(DPAK) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 1.75V@4A 4A TO-252-2(DPAK) SiC Diodes ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6101 | $ 1.6101 |
| 10+ | $1.5737 | $ 15.7370 |
| 30+ | $1.5499 | $ 46.4970 |
| 100+ | $1.5277 | $ 152.7700 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics STPSC4H065B-TR | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 40uA@650V | |
| Configuração do diodo | 1 Independent | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.75V@4A | |
| Current - Rectified | 4A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 38A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
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| 1+ | $1.6101 | $ 1.6101 |
| 10+ | $1.5737 | $ 15.7370 |
| 30+ | $1.5499 | $ 46.4970 |
| 100+ | $1.5277 | $ 152.7700 |
