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STMicroelectronics STPSC10H12G-TR
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STPSC10H12G-TR |
| Código da Peça EBEE | E82971499 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | D2PAK SiC Diodes ROHS |
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1 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8731 | $ 5.8731 |
| 10+ | $5.7431 | $ 57.4310 |
| 30+ | $5.6565 | $ 169.6950 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics STPSC10H12G-TR | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 60uA@1200V | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 420A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
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