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STMicroelectronics STPSC10H065DLF
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STPSC10H065DLF |
| Código da Peça EBEE | E85271106 |
| Pacote | Power-FLAT(8x8) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | Power-FLAT(8x8) SiC Diodes ROHS |
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4 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.7481 | $ 6.7481 |
| 10+ | $5.5667 | $ 55.6670 |
| 30+ | $4.9946 | $ 149.8380 |
| 100+ | $4.5152 | $ 451.5200 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics STPSC10H065DLF | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 100uA@650V | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@10A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 850A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
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| 10+ | $5.5667 | $ 55.6670 |
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