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STMicroelectronics STP6N65M2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP6N65M2 |
| Código da Peça EBEE | E87089892 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 4A 60W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5197 | $ 1.5197 |
| 200+ | $0.6065 | $ 121.3000 |
| 500+ | $0.5856 | $ 292.8000 |
| 1000+ | $0.5768 | $ 576.8000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP6N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 4A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | - | |
| Dissipação de potência (Pd) | 60W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.65pF@100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 226pF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 9.8nC@10V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5197 | $ 1.5197 |
| 200+ | $0.6065 | $ 121.3000 |
| 500+ | $0.5856 | $ 292.8000 |
| 1000+ | $0.5768 | $ 576.8000 |
