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STMicroelectronics STP4N150
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP4N150 |
| Código da Peça EBEE | E8457448 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1.5kV 4A 7Ω@10V,2A 160W 3V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7705 | $ 3.7705 |
| 10+ | $3.2609 | $ 32.6090 |
| 50+ | $2.9422 | $ 147.1100 |
| 100+ | $2.6157 | $ 261.5700 |
| 500+ | $2.4674 | $ 1233.7000 |
| 1000+ | $2.4043 | $ 2404.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP4N150 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 7Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 1.5kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@600V |
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