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STMicroelectronics STP43N60DM2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP43N60DM2 |
| Código da Peça EBEE | E8472619 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 34A 0.093Ω@10V,17A 250W 3V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1764 | $ 3.1764 |
| 10+ | $3.1076 | $ 31.0760 |
| 50+ | $3.0617 | $ 153.0850 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP43N60DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 93mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | 56nC@480V |
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