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STMicroelectronics STP3N80K5
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP3N80K5 |
| Código da Peça EBEE | E8501036 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 2.5A 2.8Ω@10V,1A 60W 3V@100uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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3 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9665 | $ 0.9665 |
| 10+ | $0.9433 | $ 9.4330 |
| 30+ | $0.9279 | $ 27.8370 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP3N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 2.8Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@640V |
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