| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP35N60DM2 |
| Código da Peça EBEE | E83002265 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 28A 0.11Ω@10V,14A 210W 3V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9945 | $ 3.9945 |
| 10+ | $3.4594 | $ 34.5940 |
| 50+ | $3.0218 | $ 151.0900 |
| 100+ | $2.7001 | $ 270.0100 |
| 500+ | $2.5517 | $ 1275.8500 |
| 1000+ | $2.4836 | $ 2483.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP35N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 110mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 210W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.4nF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9945 | $ 3.9945 |
| 10+ | $3.4594 | $ 34.5940 |
| 50+ | $3.0218 | $ 151.0900 |
| 100+ | $2.7001 | $ 270.0100 |
| 500+ | $2.5517 | $ 1275.8500 |
| 1000+ | $2.4836 | $ 2483.6000 |
