| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP30NF10 |
| Código da Peça EBEE | E860609 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 35A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4224 | $ 0.4224 |
| 10+ | $0.3700 | $ 3.7000 |
| 50+ | $0.3446 | $ 17.2300 |
| 100+ | $0.3192 | $ 31.9200 |
| 500+ | $0.3033 | $ 151.6500 |
| 1000+ | $0.2954 | $ 295.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP30NF10 | |
| RoHS | ||
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | - | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 80pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.18nF | |
| Gate Charge(Qg) | 55nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4224 | $ 0.4224 |
| 10+ | $0.3700 | $ 3.7000 |
| 50+ | $0.3446 | $ 17.2300 |
| 100+ | $0.3192 | $ 31.9200 |
| 500+ | $0.3033 | $ 151.6500 |
| 1000+ | $0.2954 | $ 295.4000 |
