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STMicroelectronics STP24N60M2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP24N60M2 |
| Código da Peça EBEE | E8472597 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 18A 150W 0.19Ω@10V,9A 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3766 | $ 1.3766 |
| 10+ | $1.1566 | $ 11.5660 |
| 30+ | $1.0361 | $ 31.0830 |
| 100+ | $0.8996 | $ 89.9600 |
| 500+ | $0.8385 | $ 419.2500 |
| 1000+ | $0.8112 | $ 811.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP24N60M2 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 190mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.06nF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@480V |
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| 30+ | $1.0361 | $ 31.0830 |
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