| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP15810 |
| Código da Peça EBEE | E8126123 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 110A 0.0036Ω@10V,55A 250W 4.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0480 | $ 2.0480 |
| 10+ | $1.7332 | $ 17.3320 |
| 50+ | $1.5356 | $ 76.7800 |
| 100+ | $1.3349 | $ 133.4900 |
| 500+ | $1.2433 | $ 621.6500 |
| 1000+ | $1.2031 | $ 1203.1000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP15810 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 4.2mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 67pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.115nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.51nF | |
| Gate Charge(Qg) | 117nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0480 | $ 2.0480 |
| 10+ | $1.7332 | $ 17.3320 |
| 50+ | $1.5356 | $ 76.7800 |
| 100+ | $1.3349 | $ 133.4900 |
| 500+ | $1.2433 | $ 621.6500 |
| 1000+ | $1.2031 | $ 1203.1000 |
