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STMicroelectronics STP13N60M2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP13N60M2 |
| Código da Peça EBEE | E83280408 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 11A 110W 380mΩ@10V,5.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5863 | $ 3.5863 |
| 10+ | $3.0934 | $ 30.9340 |
| 30+ | $2.8004 | $ 84.0120 |
| 100+ | $2.5043 | $ 250.4300 |
| 500+ | $2.3673 | $ 1183.6500 |
| 1000+ | $2.3059 | $ 2305.9000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP13N60M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 380mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 32pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V |
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| 10+ | $3.0934 | $ 30.9340 |
| 30+ | $2.8004 | $ 84.0120 |
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