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STMicroelectronics STP13N60DM2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP13N60DM2 |
| Código da Peça EBEE | E8495246 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 600V 11A 0.365Ω@10V,5.5A 110W 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP13N60DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 365mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 730pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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