| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP10N95K5 |
| Código da Peça EBEE | E8472613 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 950V 8A 0.8Ω@10V,4A 130W 3V@100uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7270 | $ 2.7270 |
| 10+ | $2.2857 | $ 22.8570 |
| 50+ | $2.0082 | $ 100.4100 |
| 100+ | $1.7261 | $ 172.6100 |
| 500+ | $1.5984 | $ 799.2000 |
| 1000+ | $1.5432 | $ 1543.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP10N95K5 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 800mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 130W | |
| Drain to Source Voltage | 950V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 630pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@760V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7270 | $ 2.7270 |
| 10+ | $2.2857 | $ 22.8570 |
| 50+ | $2.0082 | $ 100.4100 |
| 100+ | $1.7261 | $ 172.6100 |
| 500+ | $1.5984 | $ 799.2000 |
| 1000+ | $1.5432 | $ 1543.2000 |
