| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STP10LN80K5 |
| Código da Peça EBEE | E8157428 |
| Pacote | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 8A 630mΩ@10V,4A 110W 5V@100uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5021 | $ 3.5021 |
| 10+ | $3.4417 | $ 34.4170 |
| 30+ | $3.4009 | $ 102.0270 |
| 100+ | $3.3619 | $ 336.1900 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STP10LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 800V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 8A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 630mΩ@10V,4A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 110W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 5V@100uA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 427pF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 15nC@10V |
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5021 | $ 3.5021 |
| 10+ | $3.4417 | $ 34.4170 |
| 30+ | $3.4009 | $ 102.0270 |
| 100+ | $3.3619 | $ 336.1900 |
