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STMicroelectronics STO68N65DM6
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STO68N65DM6 |
| Código da Peça EBEE | E83291323 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 55A 53mΩ@10V,27.5A 240W 4.75V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4352 | $ 15.4352 |
| 10+ | $14.2279 | $ 142.2790 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STO68N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Configuração | - | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 55A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 53mΩ@10V,27.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 240W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4.75V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 1.5pF@100V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 3528pF | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 80nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4352 | $ 15.4352 |
| 10+ | $14.2279 | $ 142.2790 |
