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STMicroelectronics STL8N10F7
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STL8N10F7 |
| Código da Peça EBEE | E8222400 |
| Pacote | PowerVDFN-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 8A 20mΩ@10V,4A 2.9W 4.5V@250uA 1 N-channel PowerVDFN-8 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3123 | $ 1.3123 |
| 10+ | $1.0807 | $ 10.8070 |
| 30+ | $0.9541 | $ 28.6230 |
| 100+ | $0.8090 | $ 80.9000 |
| 500+ | $0.7457 | $ 372.8500 |
| 1000+ | $0.7164 | $ 716.4000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STL8N10F7 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 20mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.64nF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@50V |
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