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STMicroelectronics STL7N10F7
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STL7N10F7 |
| Código da Peça EBEE | E82970143 |
| Pacote | VDFN-8-Power |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 7A 2.9W 0.035Ω@10V,3.5A 2.5V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5280 | $ 1.5280 |
| 10+ | $1.2780 | $ 12.7800 |
| 30+ | $1.1398 | $ 34.1940 |
| 100+ | $0.9845 | $ 98.4500 |
| 500+ | $0.9162 | $ 458.1000 |
| 1000+ | $0.8852 | $ 885.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STL7N10F7 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 35mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 19pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.9W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 920pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC@50V |
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