| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STI10N62K3 |
| Código da Peça EBEE | E85931865 |
| Pacote | I2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 620V 8.4A 750mΩ@10V,4A 125W 4.5V@100uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1342 | $ 3.1342 |
| 200+ | $1.2504 | $ 250.0800 |
| 500+ | $1.2084 | $ 604.2000 |
| 1000+ | $1.1884 | $ 1188.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STI10N62K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 620V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 8.4A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 750mΩ@10V,4A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 125W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4.5V@100uA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1.25nF@50V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 42nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1342 | $ 3.1342 |
| 200+ | $1.2504 | $ 250.0800 |
| 500+ | $1.2084 | $ 604.2000 |
| 1000+ | $1.1884 | $ 1188.4000 |
