Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
STMicroelectronics STHU32N65DM6AG
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STHU32N65DM6AG |
| Código da Peça EBEE | E83278146 |
| Pacote | TO-263-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 37A 83mΩ@10V,18.5A 320W 3.25V@250uA 1 N-channel TO-263-8 MOSFETs ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>10 Em Estoque para Envio Rápido
10 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3923 | $ 13.3923 |
| 10+ | $11.6189 | $ 116.1890 |
| 30+ | $10.5384 | $ 316.1520 |
| 100+ | $9.6328 | $ 963.2800 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STHU32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 97mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 320W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.211nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 52.6nC@10V |
Guia de Compras
Expandir
10 Stock for Shipping Fast
10 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3923 | $ 13.3923 |
| 10+ | $11.6189 | $ 116.1890 |
| 30+ | $10.5384 | $ 316.1520 |
| 100+ | $9.6328 | $ 963.2800 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
