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STMicroelectronics STGWA80H65DFB


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
STGWA80H65DFB
Código da Peça EBEE
E85268579
Pacote
TO-247
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>
6 Em Estoque para Envio Rápido
6 disponível para envio imediato
Pode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$3.1373$ 3.1373
10+$2.6690$ 26.6900
30+$2.3768$ 71.3040
90+$2.0768$ 186.9120
510+$1.9402$ 989.5020
990+$1.8815$ 1862.6850
Melhor preço para maior quantidade?
$
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaTransistores / os ossudores ,IGBT Transistores / Módulos
Folha de DadosSTMicroelectronics STGWA80H65DFB
RoHS
Temperatura de funcionamento-55℃~+175℃
Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces)650V
Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic)5V@1mA
Pd - Power Dissipation469W
Gate Charge(Qg)414nC@15V
Td(off)280ns
Td(on)84ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)215pF
Reverse Recovery Time(trr)85ns
Switching Energy(Eoff)1.5mJ
Turn-On Energy (Eon)2.1mJ
Input Capacitance(Cies)10.524nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)240A
Output Capacitance(Coes)385pF

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