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STMicroelectronics STGD4M65DF2


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
STGD4M65DF2
Código da Peça EBEE
E8222118
Pacote
DPAK
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
68W 8A 650V FS(Field Stop) TO-252-2(DPAK) IGBT Transistors / Modules ROHS
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Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$0.3117$ 0.3117
10+$0.2835$ 2.8350
30+$0.2683$ 8.0490
100+$0.2507$ 25.0700
500+$0.2425$ 121.2500
1000+$0.2390$ 239.0000
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TipoDescrição
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CategoriaTransistores / os ossudores ,IGBT Transistores / Módulos
Folha de DadosSTMicroelectronics STGD4M65DF2
RoHS
Temperatura de funcionamento-55℃~+175℃@(Tj)
Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces)650V
Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic)5V@250uA
Pd - Power Dissipation68W
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate Charge(Qg)15.2nC
Td(off)86ns
Td(on)12ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)8pF
Reverse Recovery Time(trr)133ns
Switching Energy(Eoff)136uJ
Turn-On Energy (Eon)40uJ
Input Capacitance(Cies)369pF
Pulsed Current- Forward(Ifm)16A
Output Capacitance(Coes)24.8pF

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